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ISL9R3060G2,
I
SL9R3060P2
—
STEALTH? Diode
Typical Performance Curves
Figure 1. Forward Current vs Forward Voltage Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 3. ta
and t
b
Curves vs Forward Current
Figure
4.
ta
and tb
C
urves vs
d
iF/dt
Figure
5.
Maximum
R
everse
R
ecovery
C
urrent
vs
Forward Current
Figure 6.
Maximum Reverse Recovery Current
vs
diF/dt
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
60
50
40
0
0
1.0
2.0
3.0
30
20
10
0.5
1.5
2.5
25oC
175oC
100oC
150oC
125oC
10
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
100
100 200
500 600
400
1000
1
0.1
175oC
25oC
100oC
300
5000
75oC
150oC
125oC
IF, FORWARD CURRENT (A)
0
0
20
40
60
80
100
VR
= 390V, T
J
= 125°C
20
60
t, RECOVERY TIMES (
n
s)
90
tb
AT
d
iF/dt
=
200A
/μs, 500A/μs, 800A/μs
10
30 40 50
ta
AT
d
iF/dt =
200
A/μs, 500A/μs,
800A
/μs
70
50
30
10
diF/dt,
CURRENT
RA
TE
OF
CHANGE (A/μs)
0
20
40
60
80
120
t, RECOVERY TIMES (ns)
VR
= 390V, T
J
= 125°C
tb
AT I
F
= 60A, 30A, 15A
1000
1600
1400
400
200
600 800
1200
ta
AT I
F
= 60A, 30A, 15A
100
IF, FORWARD CURRENT (A)
4
0210
030 40 50
8
10
12
14
18
20
I
rr
,
M
AX REVERSE
REC
OVERY
CURRENT
(
A)
diF/dt =
80
0A/μs
diF/dt =
500
A/μs
diF/dt =
20
0A/μs
VR
= 390V, T
J
= 125°C
60200
6
16
diF/dt,
CURRENT
RA
TE
OF
CHANGE
(
A/μs)
0
5
10
15
20
25
1000
1600
VR
= 390V, T
J
= 125°C
IF
= 60A
IF
= 15A
I
rr
,
M
AX REVERSE
REC
OVERY
CURRENT
(
A)
1400
400
600 800
1200
30
IF
= 30A
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R3060G2, ISL9R3060P2 Rev. C1
www.fairchildsemi.com
3
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